ттл демультиплексор справочник

1,09 Mb.страница2/4Дата конвертации04.03.2012Размер1,09 Mb.Тип Смотрите также:   2     ^ ЛЕКЦИЯ 3. МИКРОСХЕМЫ ТИПА ТТЛ, ЭСЛ, КМОП Все, выпускаемые в настоящее время, стандартные ЦИС малой и средней степени интеграции изготавливаются на основе биполярных или МОП транзисторов. По схемотехническому и конструктивно-технологическому исполнению биполярные микросхемы подразделяют на типы: транзисторно - транзисторные логические ИС (ТТЛ) и их модификации (ТТЛ с диодами Шоттки, Шоттки транзисторная логика и др.); эмиттерно-связанные логические ИС (ЭСЛ). ЦИС на МОП транзисторах подразделяются на: p - канальные (p-МОП); n - канальные (n-МОП); комплементарные на взаимодополняющих n- и p-канальных транзисторах (КМОП). ^ Микросхемы ТТЛ являются основой для построения аппаратуры среднего и высокого быстродействия и в настоящее время получили наибольшее распространение. Электрическая схема базового элемента ТТЛ со сложным инвертором приведена на Рисунок 3.1 Электрическая схема элемента ТТЛ. Резистор R1 и транзистор VT1 реализуют логическую функцию И, транзистор VT2 с резистором R2 и цепочкой, образованной транзистором VT5 и резисторами R3 и R4, выполняют роль фазорасщепляющего каскада для выходного буферного каскада, построенного на транзисторах VT3...VT6. Резистор R5 предназначен для рассасывания объемного заряда из базы транзистора VT4 при выключении инвертора, а резистор R6 - ограничивает сквозные токи, протекающие в схеме при ее переключении. Диоды VD1 и VD2 - антизвонные и предназначены для ограничения амплитуды отрицательных выбросов на входах микросхемы, что позволяет предотвратить ее ложные срабатывания. Входная характеристика базового элемента ТТЛ приведена на , а его передаточная характеристика - на . Рисунок 3.2. Входная характеристика ТТЛ- элемента. Рисунок 3.3. Передаточная характеристика ТТЛ элемента. На входной характеристике ТТЛ элемента можно выделить четыре участка: участок 1 определяется антизвонным диодом и характеризует способность микросхемы ограничивать выбросы отрицательной полярности; участок 2 представляет собой прямую линию, наклон которой может быть определен согласно выражению 3.1. , (3.1) где VCC - напряжение питания; UIN - входное напряжение; U* - прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер многоэмиттерного транзистора; MЭ - количество эмиттеров, на которые подано напряжение высокого уровня; bI - инверсный коэффициент усиления транзистора VT1. Участок 3 соответствует моменту переключения тока базы МЭТ из эмиттера в коллектор и определяет напряжение порога переключения (UTH). Участок 4 входной характеристики определяет входной ток высокого уровня IIH, который может быть определен по формуле (3.2) IIN = bIIR1 , (3.2) где (3.3) UIN - входное напряжение низкого уровня, поданное на остальные эмиттеры. На передаточной характеристика условно показано выходное напряжение низкого уровня (UOL) для двух случаев: коэффициент разветвления Краз = 10 (участок 1) и Краз = 1 (участок 2). В общем случае выходное напряжение низкого уровня может быть определено по формуле 3.4, напряжение высокого уровня - в соответствии с выражением 3.5. UOL = U0 + (rc + 4 mfT / bNI6) IL, (3.4) UOH = Vcc - (R2 /(1 + bN )) IL - 2 U*, (3.5) где bN - нормальный коэффициент усиления транзисторов VT3, VT4, включенных по схеме Дарлингтона; rc - объемное сопротивление тела коллектора транзистора VT6; mfT / bNI6 - динамическое сопротивление коллектор-эмиттер транзистора VT6 в режиме насыщения; I6 - ток базы транзистора VT6; IL - ток нагрузки. В настоящее время микросхемы ТТЛ выпускаются только с диодами Шоттки, использование которых позволяет существенно повысить быстродействие ЦИС при одновременном снижен

За последние годы в области вычислительной техники произошли существенные изменения. Они были вызваны, прежде всего, тем, что персональные компьютеры превратили

ЛЕКЦИЯ 3. МИКРОСХЕМЫ ТИПА ТТЛ, ЭСЛ, КМОП - За последние годы в области вычислительной техники произошли существенные...